2010年10月13日の日経一面はシャープが材料を担当して次世代メモリーを開発へ向かう。不揮発性のランダムアクセスメモリーで電圧を加えると抵抗が大きく変わる材料を使うのが特徴でReRAMという。

DRAMとフラッシュメモリーを兼ね備えるメモリーとして期待してる。

が、材料が実際に何なのかは書いてなかった。

開発費は相当かさむし、社運を賭けた開発になりそうです。

もともと液晶技術に強いシャープだから、薄膜材料にはそれなりに自信があるのかなあ?

けど、メモリー材料はおそらくレアアースを使う酸化物系材料と予想される。

誘電体だと焦電体という材料が圧力を掛けると電荷が生じることが知られてます。

電圧をかけて抵抗が変わる材料?

新規材料だろうけど、
酸化物系なら結局は結晶サイズ効果が影響してくる。

単純にいうと100ミクロンのメモリーセルなら作れるけど1ミクロン以下のセルになると

中に入る結晶サイズがセルサイズと近くなってしまいます。

つまり隣同士のセルごとの性質が結晶の並び方によって変わるぐらいになる。

薄膜材料の結晶サイズや向きや性質の制御が難しくなるんです。

もしかしたら、材料がグラフェンなど、薄膜材料に特に向いている材料ならまた新しい展開もあるけど。

酸化物の薄膜材料って制御が難しいってゆうのは15年前の強誘電体メモリーからの経験則です。

シャープさん頑張ってね。

もうひとつ注目ニュースは非シリコン系材料の太陽電池の実用化が日本なら昭和シェル

韓国でもフランス企業と組んで始まっているんです。
現代重工さんね。

材料素材は日本の物性物理学 応用物理学会のお家芸のはず!

韓国にこれで負けたら日本に未来はない!

ってゆう気合いで昭和シェルさんには頑張ってもらいたい!

こちらの材料はちと不勉強でよくわからないけど、

徹底的に効率化を考えるなら

表面モルフォロジーやら
内部のメソポーラス構造について、

昆虫やら植物の形態を参考にする特殊なブレイクスルーが必要なんじゃないかな?

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