半金属ビスマス自体がトポロジカルな性質を持つ。
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トポロジカルって特別な結晶の性質ではなく、ビスマスを中心にした結晶の性質だった。

東京大学大学院理学系研究科博士課程 伊藤俊氏、
東京大学物性研究所 松田巌准教授、
お茶の水女子大学基幹研究院 小林功佳教授
らの成果です。

記事を読むと、光電子分光法によりバンド構造を観測することで
実験的にトポロジカルな性質を測定している。

その時に使ったのが、ビスマス薄膜。
ビスマス薄膜の作製条件が記事にはなかった。
どんな成膜方法でも、ほぼ似たような多結晶型の結晶薄膜ができるだろう。
そんな多結晶型薄膜は、成膜条件や焼成温度によって
絶縁性が変わることが知られている。

なぜ、絶縁性が変わることが大事だというと、
ビスマス系絶縁薄膜をメモリのコンデンサに使おうとしたことがあったからだ。
コンデンサは当然、絶縁性が性能の決め手だ。

ビスマスを含む強誘電体は絶縁性だけでなく、誘電性を電圧をかけていない時も保持する性質がある。
20年前に扱っていた
SBT(SrBi2Ta2O9)は典型的なビスマス強誘電体だから、
今思えば、
きっとトポロジカルな性質があってリーク電流が流れるんだろう。

当時の記憶を辿ると、
焼成温度とトポロジカルなリーク電流が関係している事実を照らし合わせる。

絶縁結晶の周りを還元するパイロクロア結晶の存在がクローズアップされる日がくると思う。

SrBi2Ta2O9強誘電体薄膜のトポロジカル絶縁性の発現メカニズムを結晶構造と酸化還元電位から考察

という過去記事を読んでみてください。

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